把"晶圆产能"按"中国 vs 中国以外"拆开——这是五厂在地缘上最本质的分野。注意：美光西安、三星苏州、SK海力士重庆是"封测/后段"，不是晶圆厂，不计入下方 wafer 暴露。
占比为公开披露 + 行业估算的方向性约数（SK海力士 DRAM 约 550K 片/月、其中无锡约 200K；三星 NAND 约 30–40% 在西安、DRAM 全在韩国；美光中国大陆无晶圆厂）。仅作量级对照，非精确财务口径。
| 公司 | 中国 wafer fab | 占其晶圆产能（约） | 地缘风险 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| SK 海力士 | 有（无锡 DRAM + 大连 NAND） | ~30–35% | 高 | 无锡贡献其 DRAM 约 35%；大连（原 Intel/Solidigm NAND 厂）做 NAND。受美国 EUV 等管制 + 中国销售反制双向暴露。 |
| 三星电子 | 有（西安 NAND ×2） | NAND 约 30–40% | 中 | 西安两座厂占其 NAND 约 30–40%；DRAM 全部在韩国，所以整体内存暴露低于 SK海力士。美国给了无限期豁免、并在升级到 236/286 层。 |
| 美光 Micron | 无 | 0% | 低 | 中国大陆仅西安封测 + 上海设计/后段，无任何晶圆厂。地缘最干净，常被当"政治稀缺性溢价"标的。 |
| 铠侠 Kioxia | 无 | 0% | 低 | 晶圆 100% 在日本（四日市 + 北上）。无中国敞口，但单一国家集中风险（地震 / 单一司法辖区）。 |
| 闪迪 SanDisk | 无 | 0% | 低 | 无自有 fab，产能 100% 来自与铠侠的日本合资厂（同上）。地理与铠侠完全重合。 |
下表把每家的晶圆厂（wafer fab）与后段封测（back-end）分开列；闪迪与铠侠合并看（同厂）。
| 地点 | 国家 | 主要产品 | 类型 | 备注 |
|---|---|---|---|---|
| 利川 Icheon（M10/M14/M16） | 🇰🇷 韩国 | DRAM / HBM 主基地 | 晶圆厂 | HBM 总部级产能 |
| 清州 Cheongju（M11/M12/M15，M15X 扩建） | 🇰🇷 韩国 | NAND（M15X 2026H2 转 DRAM） | 晶圆厂 | NAND 主基地 |
| 龙仁 Yongin 半导体集群 | 🇰🇷 韩国 | DRAM（新建，未来） | 晶圆厂 | 规划月增 360K 片，2027+ 投产 |
| 无锡 Wuxi（C2/C2F） | 🇨🇳 中国 | DRAM | 晶圆厂 | 约 200K 片/月，占其 DRAM ~35% |
| 大连 Dalian | 🇨🇳 中国 | NAND | 晶圆厂 | 原 Intel / Solidigm NAND 厂 |
| 重庆 Chongqing | 🇨🇳 中国 | 封装 / 测试 | 封测 | 后段 |
| 印第安纳 Indiana | 🇺🇸 美国 | HBM 先进封装 | 封测 | 规划中，非晶圆 |
| 地点 | 国家 | 主要产品 | 类型 | 备注 |
|---|---|---|---|---|
| 华城 Hwaseong | 🇰🇷 韩国 | DRAM / HBM / 代工 | 晶圆厂 | HBM 基地之一 |
| 平泽 Pyeongtaek（P1–P4，P5 在建） | 🇰🇷 韩国 | DRAM / NAND / 代工 | 晶圆厂 | 全球最大单体半导体基地，P5 为 HBM |
| 器兴 Giheung | 🇰🇷 韩国 | 代工 / 成熟制程 | 晶圆厂 | — |
| 西安 Xi'an（一厂 + 二厂） | 🇨🇳 中国 | NAND | 晶圆厂 | 占其 NAND ~30–40%，升级 236/286 层 |
| 苏州 Suzhou | 🇨🇳 中国 | 封装 / 测试 | 封测 | 后段 |
| 泰勒 Taylor / 奥斯汀 Austin, TX | 🇺🇸 美国 | 代工（系统芯片，非内存） | 晶圆厂 | 可作对美内存关税缓冲，但本身不产内存 |
三星 DRAM 晶圆全部在韩国；中国（西安）只产 NAND。所以其"内存晶圆"的中国暴露集中在 NAND 这一块。
| 地点 | 国家 | 主要产品 | 类型 | 归属 |
|---|---|---|---|---|
| 四日市 Yokkaichi（三重县） | 🇯🇵 日本 | NAND（最大基地） | 晶圆厂 | Flash Ventures：约 80% 产能铠侠/闪迪 50/50 共享，余 ~20% 铠侠独有 |
| 北上 Kitakami（岩手县，Fab1/Fab2） | 🇯🇵 日本 | NAND（较新，Fab2 2025 投产） | 晶圆厂 | 同上合资结构；协议已续至 2034-12-31 |
闪迪不单独运营任何 fab——它的 NAND 产能全部来自上面两座日本合资厂，与铠侠产自同一批晶圆。所以从"产能地理"角度，闪迪 = 铠侠 = 100% 日本、零中国敞口。两者的真正差异不在 fab 地理，而在资产负债表（闪迪净现金 vs 铠侠净负债）、NBM 合约、Bain 减持 overhang（见各自研报）。
| 地点 | 国家 | 主要产品 | 类型 | 备注 |
|---|---|---|---|---|
| 台中 Taichung + 桃园 Taoyuan | 🇹🇼 台湾 | DRAM（产能主力） | 晶圆厂 | 美光 DRAM 的最大产出地 |
| 新加坡 Singapore（×2 + 在建） | 🇸🇬 新加坡 | 3D NAND | 晶圆厂 | NAND 主基地 + HBM 封装 |
| 广岛 Hiroshima | 🇯🇵 日本 | DRAM（EUV 先进制程） | 晶圆厂 | 1γ 等最先进 DRAM |
| 马纳萨斯 Manassas, VA | 🇺🇸 美国 | DRAM（长寿命 / 车规国防） | 晶圆厂 | 已产 1α DRAM |
| 博伊西 Boise, ID（在建） | 🇺🇸 美国 | DRAM | 晶圆厂 | 2027 投产 |
| 纽约 Clay, NY（在建，最多 4 厂） | 🇺🇸 美国 | DRAM 巨厂（$100B+） | 晶圆厂 | 2026 起动工，目标 2040s 占其 DRAM 40% 在美 |
| 西安 Xi'an / 上海 Shanghai | 🇨🇳 中国 | 封测 / 设计 | 封测 | 无晶圆厂，仅后段 |
| 国家 / 地区 | 谁在这里有晶圆厂 | 主要产品 |
|---|---|---|
| 🇰🇷 韩国 | SK海力士、三星 | DRAM / HBM / NAND（两家主基地） |
| 🇨🇳 中国大陆 | SK海力士（无锡 DRAM、大连 NAND）、三星（西安 NAND） | 仅 DRAM/NAND，美光/铠侠/闪迪在此无晶圆 |
| 🇯🇵 日本 | 铠侠＋闪迪（四日市、北上，同厂）、美光（广岛 DRAM） | NAND（铠侠/闪迪）+ DRAM（美光） |
| 🇹🇼 台湾 | 美光（台中、桃园） | DRAM 主力 |
| 🇸🇬 新加坡 | 美光 | NAND 主力 |
| 🇺🇸 美国 | 美光（弗吉尼亚现产；爱达荷、纽约在建）；三星泰勒（仅代工非内存） | DRAM（美光在美产能 2027 起放量） |
如果地缘冲突升级（美国对华管制加码 / 中国反制 / 关税），SK海力士受冲击最直接（无锡 DRAM 是其 HBM 之外的关键基本盘）；三星次之（仅 NAND 受累、DRAM 安全）；美光因零中国晶圆 + 本土扩产，反而是"地缘避风港"，可能获政治稀缺性溢价；铠侠/闪迪无中国敞口但全压日本——换来的是单一国家（地震 / 政策 / 日元）集中风险。这条供给侧地理差异，应叠加到各家研报的 Setup 评分里一起看。